Proizvođač Broj proizvoda:
DMN65D8LDW-7
Product Overview
Proizvođač:
Diodes Incorporated
Broj dela:
DMN65D8LDW-7-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
Detaljan opis:
Mosfet Array 60V 180mA 300mW Surface Mount SOT-363
Inventar:
34033 kom. Nova originalna na skladištu
12888929
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
DMN65D8LDW-7 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Diodes Incorporated
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
60V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
180mA
Srs Na (maks) @ id, vgs
6Ohm @ 115mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
0.87nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
22pF @ 25V
Snaga - Maks
300mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Dobavljač uređaja Paket
SOT-363
Osnovni broj proizvoda
DMN65
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
DMN65D8LDW-7DIDKR
DMN65D8LDW-7DITR
DMN65D8LDW-7DICT
DMN65D8LDW7
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DMT47M2LDVQ-13
MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
BSS84DW-7
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363
DMP2101UCB9-7
MOSFET 2P-CH 20V 9UWLB
