DMT6012LPSW-13

Proizvođač Broj proizvoda:

DMT6012LPSW-13

Product Overview

Proizvođač:

Diodes Incorporated

Broj dela:

DMT6012LPSW-13-DG

Opis:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

Detaljan opis:

N-Channel 60 V 13.1A (Ta), 31.5A (Tc) 3.1W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

Inventar:

RFQ Online

12978514

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

DMT6012LPSW-13 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Diodes Incorporated

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

-

Status proizvoda

Active

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

60 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

13.1A (Ta), 31.5A (Tc)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

4.5V, 10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

12mOhm @ 20A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

22.2 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

1522 pF @ 30 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

3.1W (Ta), 17.9W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount, Wettable Flank

Dobavljač uređaja Paket

PowerDI5060-8 (Type UX)

Paket / slučaj

8-PowerTDFN

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički listovi

Dodatne informacije

Standardni paket

2,500

Ostala imena

31-DMT6012LPSW-13TR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

diodes

DMN2053UWQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

BSS123K-13

BSS FAMILY SOT23 T&R 10K

diodes

DMP3056LDMQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R

diodes

DMN4034SSSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2