Proizvođač Broj proizvoda:
EPC2110ENGRT
Product Overview
Proizvođač:
EPC
Broj dela:
EPC2110ENGRT-DG
Opis:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Detaljan opis:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die
Inventar:
12795179
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
EPC2110ENGRT Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
EPC
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
eGaN®
Status proizvoda
Active
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET karakteristika
-
Odvod do izvornog napona (VDS)
120V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3.4A
Srs Na (maks) @ id, vgs
60mOhm @ 4A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 700µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
0.8nC @ 5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
80pF @ 60V
Snaga - Maks
-
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
Die
Dobavljač uređaja Paket
Die
Osnovni broj proizvoda
EPC211
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
