G11S
Proizvođač Broj proizvoda:

G11S

Product Overview

Proizvođač:

Goford Semiconductor

Broj dela:

G11S-DG

Opis:

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Detaljan opis:
P-Channel 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventar:

90000 kom. Nova originalna na skladištu
13001224
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

G11S Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Goford Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
11A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.1V @ 250µA
Vgs (Maks)
±12V
FET karakteristika
Standard
Rasipanje snage (maks)
3.3W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOP
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Dodatne informacije

Standardni paket
4,000
Ostala imena
4822-G11STR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
nexperia

BUK4D110-20PX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI

toshiba-semiconductor-and-storage

TW140N120C,S1F

G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M

littelfuse

IXFX130N65X3

DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU

goford-semiconductor

GT105N10T

MOSFET N-CH 100V 55A TO-220