Proizvođač Broj proizvoda:
G65P06F
Product Overview
Proizvođač:
Goford Semiconductor
Broj dela:
G65P06F-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220F
Detaljan opis:
P-Channel 65A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
58000 kom. Nova originalna na skladištu
12987385
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
G65P06F Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Goford Semiconductor
Pakovanje
Tube
Serije
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
65A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Vgs (Maks)
±20V
FET karakteristika
Standard
Rasipanje snage (maks)
39W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220F
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,000
Ostala imena
4822-G65P06F
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DMN2310UFB4-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMP6018LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
FCC620N60ZF
FCC620N60ZF
