Proizvođač Broj proizvoda:
BSC014NE2LSIATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
BSC014NE2LSIATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Detaljan opis:
N-Channel 25 V 33A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventar:
18735 kom. Nova originalna na skladištu
12799018
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
gh4j
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSC014NE2LSIATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
25 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
33A (Ta), 100A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2700 pF @ 12 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TDSON-8-7
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
BSC014
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
BSC014NE2LSIATMA1TR
BSC014NE2LSIDKR
BSC014NE2LSICT-DG
BSC014NE2LSITR-DG
SP000911336
BSC014NE2LSI-DG
INFINFBSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSI
BSC014NE2LSIATMA1CT
BSC014NE2LSICT
2156-BSC014NE2LSIATMA1
BSC014NE2LSIDKR-DG
BSC014NE2LSIATMA1DKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSO303SPNTMA1
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8DSO
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
