Proizvođač Broj proizvoda:
BSC120N03MSGATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
BSC120N03MSGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventar:
28843 kom. Nova originalna na skladištu
12799703
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSC120N03MSGATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
11A (Ta), 39A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
12mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1500 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TDSON-8-5
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
BSC120
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
BSC120N03MS G
BSC120N03MSGINTR
BSC120N03MSGATMA1DKR
BSC120N03MSGINTR-DG
BSC120N03MSGXT
BSC120N03MSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC120N03MSGINCT-DG
BSC120N03MSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC120N03MSG
BSC120N03MSGATMA1TR
BSC120N03MSGINCT
SP000311516
BSC120N03MSGINDKR-DG
BSC120N03MSGATMA1CT
BSC120N03MSGINDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
