Proizvođač Broj proizvoda:
BSZ019N03LSATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
BSZ019N03LSATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 22A . 40A TSDSON
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 22A (Ta). 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventar:
89383 kom. Nova originalna na skladištu
12799280
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSZ019N03LSATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
22A (Ta). 40A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2800 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TSDSON-8-FL
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
BSZ019
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
BSZ019N03LSCT-DG
BSZ019N03LSCT
SP000792362
BSZ019N03LSATMA1DKR
BSZ019N03LS-DG
BSZ019N03LSATMA1TR
BSZ019N03LSDKR-DG
BSZ019N03LSATMA1CT
BSZ019N03LSTR-DG
BSZ019N03LS
BSZ019N03LSDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
BUZ31L H
MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
BSP320SL6433HTMA1
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
