Proizvođač Broj proizvoda:
BSZ110N06NS3GATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
BSZ110N06NS3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
16802 kom. Nova originalna na skladištu
12799645
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSZ110N06NS3GATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
20A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 23µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2700 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TSDSON-8
Paket / slučaj
8-PowerVDFN
Osnovni broj proizvoda
BSZ110
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
BSZ110N06NS3 GDKR-DG
SP000453676
BSZ110N06NS3 G
BSZ110N06NS3GATMA1TR
BSZ110N06NS3GINTR
2156-BSZ110N06NS3GATMA1
BSZ110N06NS3GINTR-DG
BSZ110N06NS3GATMA1DKR
BSZ110N06NS3G
BSZ110N06NS3GATMA1CT
BSZ110N06NS3GINDKR-DG
BSZ110N06NS3GINCT
BSZ110N06NS3GINCT-DG
BSZ110N06NS3 GDKR
INFINFBSZ110N06NS3GATMA1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSO064N03S
MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
BSS214NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
BSC067N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 15A/50A TDSON