Proizvođač Broj proizvoda:
IPA60R180P7XKSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPA60R180P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventar:
484 kom. Nova originalna na skladištu
12801753
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPA60R180P7XKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
18A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 280µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1081 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
26W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO220 Full Pack
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
IPA60R
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
448-IPA60R180P7XKSA1
IPA60R180P7XKSA1-DG
SP001606042
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
AUIRLS3036TRL
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IPD60R600P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
AUIRFSA8409-7TRL
MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK
