Proizvođač Broj proizvoda:
IPA65R095C7XKSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPA65R095C7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventar:
384 kom. Nova originalna na skladištu
12803029
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPA65R095C7XKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
CoolMOS™ C7
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
12A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 590µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2140 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
34W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO220-FP
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
IPA65R095
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
2156-IPA65R095C7XKSA1
SP001080126
INFINFIPA65R095C7XKSA1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
TK35A65W,S5X
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
13
DiGi BROJ DELOVA
TK35A65W,S5X-DG
JEDINIČNA CENA
3.02
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF3205STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
IPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
IRF7353D1PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
