Proizvođač Broj proizvoda:
IPB026N06NATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPB026N06NATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
2943 kom. Nova originalna na skladištu
12802834
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPB026N06NATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
25A (Ta), 100A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.8V @ 75µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4100 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3W (Ta), 136W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO263-3
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
IPB026
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
IPB026N06NATMA1DKR
IPB026N06NTR-DG
IPB026N06NCT
IPB026N06N-DG
IPB026N06NATMA1TR
IPB026N06NTR
IPB026N06NDKR-DG
SP000962142
IPB026N06NATMA1CT
IPB026N06NCT-DG
IPB026N06NDKR
IPB026N06N
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF6785MTR1PBF
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
IRFR3704ZTRLPBF
MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
IRFB7430GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
