Proizvođač Broj proizvoda:
IPD30N03S4L14ATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPD30N03S4L14ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
18945 kom. Nova originalna na skladištu
12801248
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPD30N03S4L14ATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
13.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.2V @ 10µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±16V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
980 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
31W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO252-3-11
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
IPD30N03
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
IPD30N03S4L-14DKR
IPD30N03S4L-14TR
IPD30N03S4L-14DKR-DG
2156-IPD30N03S4L14ATMA1
SP000275919
IPD30N03S4L14ATMA1TR
IPD30N03S4L-14-DG
IPD30N03S4L14ATMA1DKR
INFINFIPD30N03S4L14ATMA1
IPD30N03S4L-14CT
IPD30N03S4L-14CT-DG
IPD30N03S4L-14TR-DG
IPD30N03S4L14
IPD30N03S4L-14
IPD30N03S4L14ATMA1CT
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSS87E6327T
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
IPF13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
IPD135N03LGXT
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
