Proizvođač Broj proizvoda:
IPI65R190CFDXKSA2
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPI65R190CFDXKSA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12801294
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPI65R190CFDXKSA2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
CoolMOS™ CFD2
Status proizvoda
Last Time Buy
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
17.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 700µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1850 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
151W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO262-3
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
IPI65R190
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
SP001987344
448-IPI65R190CFDXKSA2
IPI65R190CFDXKSA2-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
BSP171PE6327
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
IPL60R180P6AUMA1
MOSFET N-CH 600V 22.4A 4VSON