Proizvođač Broj proizvoda:
IPW60R080P7XKSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IPW60R080P7XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
423 kom. Nova originalna na skladištu
12805906
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPW60R080P7XKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tube
Serije
CoolMOS™ P7
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
37A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
80mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 590µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2180 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
129W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO247-3
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
IPW60R080
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
IPW60R080P7XKSA1-DG
SP001647040
448-IPW60R080P7XKSA1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF6636TRPBF
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
IRFR2407TRRPBF
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
IRLR8113PBF
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
