Proizvođač Broj proizvoda:
IRF6611
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF6611-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Inventar:
12804257
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF6611 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
32A (Ta), 150A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.6mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.25V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
56 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4860 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.9W (Ta), 89W (Tc)
Radna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
DIRECTFET™ MX
Paket / slučaj
DirectFET™ Isometric MX
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
4,800
Ostala imena
IRF6611CT
IRF6611TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
PSMN2R5-30YL,115
Proizvođač
Nexperia USA Inc.
KOLIČINA DOSTUPNA
2090
DiGi BROJ DELOVA
PSMN2R5-30YL,115-DG
JEDINIČNA CENA
0.39
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF7809
MOSFET N-CH 30V 17.6A 8SO
IRFZ44E
MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
IRF7353D2PBF
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
