Proizvođač Broj proizvoda:
IRF7329PBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF7329PBF-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Detaljan opis:
Mosfet Array 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12805089
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF7329PBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Discontinued at Digi-Key
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 P-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
12V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
9.2A
Srs Na (maks) @ id, vgs
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
900mV @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3450pF @ 10V
Snaga - Maks
2W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SO
Osnovni broj proizvoda
IRF732
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
3,800
Ostala imena
62-0242PBF
62-0242PBF-DG
SP001559806
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IRF7756
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
IRF7751
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8TSSOP
IRF7331TRPBF-1
MOSFET 2N-CH 20V 7A 8SOIC