Proizvođač Broj proizvoda:
IRF7464
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRF7464-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 1.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12861440
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF7464 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.2A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
730mOhm @ 720mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
280 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SO
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
95
Ostala imena
*IRF7464
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
MTM231232LBF
MOSFET P-CH 20V 3A SMINI3-G1-B
IRLR8256PBF
MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
NTD6416AN-1G
MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
