Proizvođač Broj proizvoda:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
IRLS4030-7PPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventar:
12818562
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRLS4030-7PPBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
HEXFET®
Status proizvoda
Discontinued at Digi-Key
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
190A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±16V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
11490 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
370W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
D2PAK (7-Lead)
Paket / slučaj
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Resursi za dizajn
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
SP001568682
IRLS40307PPBF
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPB039N10N3GATMA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
29647
DiGi BROJ DELOVA
IPB039N10N3GATMA1-DG
JEDINIČNA CENA
1.22
TIP ZAMENE
MFR Recommended
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
DN2535N3-G
MOSFET N-CH 350V 120MA TO92
IRF1312PBF
MOSFET N-CH 80V 95A TO220AB
IRF6614TR1
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
