Proizvođač Broj proizvoda:
SPI08N80C3XKSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
Broj dela:
SPI08N80C3XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12806739
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SPI08N80C3XKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serije
CoolMOS™
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 470µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1100 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
104W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO262-3-1
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
SPI08N
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ostala imena
INFINFSPI08N80C3XKSA1
SP000683148
SPI08N80C3XK
SPI08N80C3X
2156-SPI08N80C3XKSA1
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IPW65R150CFDAFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
IRFC2604B
MOSFET
SPP15P10PGHKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
