IXFP7N80P
Proizvođač Broj proizvoda:

IXFP7N80P

Product Overview

Proizvođač:

IXYS

Broj dela:

IXFP7N80P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

299 kom. Nova originalna na skladištu
12905891
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IXFP7N80P Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.44Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1890 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
200W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IXFP7N80

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
IXFP7N80P
Tehnički listovi
IXF(A,I,P)7N80P
HTML Tehnička dokumentacija
IXFP7N80P-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

IRFL9110TRPBF

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

diodes

ZVN4206AV

MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3

vishay-siliconix

IRFPS37N50APBF

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247

diodes

VN10LPSTOB

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE