IXTA10P50P
Proizvođač Broj proizvoda:

IXTA10P50P

Product Overview

Proizvođač:

IXYS

Broj dela:

IXTA10P50P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Detaljan opis:
P-Channel 500 V 10A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Inventar:

RFQ Online
12909367
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IXTA10P50P Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
Polar
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2840 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
300W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263AA
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
IXTA10

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
IXTA10P50P
Tehnički listovi
IXTx10P50P
HTML Tehnička dokumentacija
IXTA10P50P-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
vishay-siliconix

IRFD224PBF

MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP

vishay-siliconix

IRF3205ZSTRL

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

vishay-siliconix

IRFBC40S

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

littelfuse

IXFL60N60

MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264