Proizvođač Broj proizvoda:
IXTA180N10T7
Product Overview
Proizvođač:
IXYS
Broj dela:
IXTA180N10T7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263-7 (IXTA)
Inventar:
12820308
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IXTA180N10T7 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
Trench
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
180A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
6.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
6900 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
480W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263-7 (IXTA)
Paket / slučaj
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Osnovni broj proizvoda
IXTA180
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPB025N10N3GATMA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
627
DiGi BROJ DELOVA
IPB025N10N3GATMA1-DG
JEDINIČNA CENA
3.25
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IXFN23N100
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
IXTY1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
IXFN20N120P
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
