Proizvođač Broj proizvoda:
IXTA6N100D2HV
Product Overview
Proizvođač:
IXYS
Broj dela:
IXTA6N100D2HV-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263HV
Detaljan opis:
N-Channel 1000 V 6A (Tj) 300W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventar:
13270606
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IXTA6N100D2HV Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
Depletion
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1000 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6A (Tj)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
0V
Srs Na (maks) @ id, vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2650 pF @ 10 V
FET karakteristika
Depletion Mode
Rasipanje snage (maks)
300W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263HV
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
IXTA6
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
238-IXTA6N100D2HV
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IXTY1R4N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
IXTA08N100D2HV-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
IXTA08N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263