Proizvođač Broj proizvoda:
IXTH80N65X2
Product Overview
Proizvođač:
IXYS
Broj dela:
IXTH80N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventar:
12821637
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IXTH80N65X2 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
Ultra X2
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
80A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 4mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
144 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
7753 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
890W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247 (IXTH)
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
IXTH80
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPW65R045C7FKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
1670
DiGi BROJ DELOVA
IPW65R045C7FKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
6.73
TIP ZAMENE
Similar
BROJ DELOVA
SCT3030ALGC11
Proizvođač
Rohm Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
10017
DiGi BROJ DELOVA
SCT3030ALGC11-DG
JEDINIČNA CENA
21.41
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
IXTP100N15X4
MOSFET N-CH 150V 100A TO220
IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
IXFH50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO247