IXTP1R6N100D2
Proizvođač Broj proizvoda:

IXTP1R6N100D2

Product Overview

Proizvođač:

IXYS

Broj dela:

IXTP1R6N100D2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventar:

RFQ Online
12820748
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

IXTP1R6N100D2 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Littelfuse
Pakovanje
Tube
Serije
Depletion
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1000 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (maks) @ id
-
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
645 pF @ 25 V
FET karakteristika
Depletion Mode
Rasipanje snage (maks)
100W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IXTP1

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
IXTP1R6N100D2
Tehnički listovi
IXT(Y,A,P)1R6N100D2
HTML Tehnička dokumentacija
IXTP1R6N100D2-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
littelfuse

IXTP110N12T2

MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB

littelfuse

IXFB70N100X

MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264

littelfuse

IXFK36N60P

MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA

littelfuse

IXTY12N06TTRL

MOSFET N-CH 60V 12A TO252