Proizvođač Broj proizvoda:
2N5011
Product Overview
Proizvođač:
Microsemi Corporation
Broj dela:
2N5011-DG
Opis:
NPN SILICON TRANSISTOR
Detaljan opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 600 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA
Inventar:
13251752
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2N5011 Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Jednostavni bipolarni tranzistori
Proizvođač
Microsemi
Pakovanje
Bulk
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
NPN
Struja - kolektor (IC) (maks)
200 mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
600 V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
1.5V @ 5mA, 25mA
Struja - kolektor prekid (maks)
10nA (ICBO)
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
30 @ 25mA, 10V
Snaga - Maks
1 W
Frekvencija - Tranzicija
-
Radna temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket / slučaj
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Dobavljač uređaja Paket
TO-5AA
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Ostala imena
150-2N5011
2N5011-ND
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
2N6678T1
NPN TRANSISTOR
2N6546
TRANS NPN 300V 15A TO204AD
2N6318
TRANS PNP 80V 0.002A TO66
