Proizvođač Broj proizvoda:
JAN2N6766
Product Overview
Proizvođač:
Microsemi Corporation
Broj dela:
JAN2N6766-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 30A TO3
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Inventar:
12925703
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
JAN2N6766 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Microsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
30A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
90mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
4W (Ta), 150W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razredu
Military
Kvalifikacije
MIL-PRF-19500/543
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3
Paket / slučaj
TO-204AE
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Ostala imena
JAN2N6766-MIL
150-JAN2N6766
JAN2N6766-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
