Proizvođač Broj proizvoda:
JANTX2N6788
Product Overview
Proizvođač:
Microsemi Corporation
Broj dela:
JANTX2N6788-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 6A TO39
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
12926755
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
JANTX2N6788 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Microsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
350mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
800mW (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razredu
Military
Kvalifikacije
MIL-PRF-19500/555
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-39
Paket / slučaj
TO-205AF Metal Can
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
1
Ostala imena
JANTX2N6788-DG
JANTX2N6788-MIL
150-JANTX2N6788
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
NTMS4807NR2G
MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
FQB630TM
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
HUF76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
