Proizvođač Broj proizvoda:
PHKD3NQ10T,518
Product Overview
Proizvođač:
Nexperia USA Inc.
Broj dela:
PHKD3NQ10T,518-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SO
Detaljan opis:
Mosfet Array 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
12829022
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
PHKD3NQ10T,518 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Nexperia
Pakovanje
-
Serije
TrenchMOS™
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
100V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
3A
Srs Na (maks) @ id, vgs
90mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
21nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
633pF @ 20V
Snaga - Maks
2W
Radna temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SO
Osnovni broj proizvoda
PHKD3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
934055906518
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
2 (1 Year)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
PHKD13N03LT,118
MOSFET 2N-CH 30V 10.4A 8SO
NX7002AKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
PMCXB900UELZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
