Proizvođač Broj proizvoda:
2SJ652-1E
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
2SJ652-1E-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Detaljan opis:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
Inventar:
12920749
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2SJ652-1E Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
28A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
38mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4360 pF @ 20 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2W (Ta), 30W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220F-3SG
Paket / slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
2SJ652
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SISS42DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK
SUP60030E-GE3
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
SUM110P04-05-E3
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
