Proizvođač Broj proizvoda:
2SK4210
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
2SK4210-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Detaljan opis:
N-Channel 900 V 10A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Inventar:
12836327
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2SK4210 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
-
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
900 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.3Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
-
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1500 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3PB
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovni broj proizvoda
2SK4210
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
100
Ostala imena
ONSSNY2SK4210
2156-2SK4210-ON
ONSONS2SK4210
2156-2SK4210
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
TK9J90E,S1E
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
TK9J90E,S1E-DG
JEDINIČNA CENA
1.07
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDB38N30U
MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
FCA20N60F
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
FDI2532
MOSFET N-CH 150V 8A/79A I2PAK
