Proizvođač Broj proizvoda:
EFC6605R-V-TR
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
EFC6605R-V-TR-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6EFCP
Detaljan opis:
Mosfet Array 20V 10A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-EFCP (1.9x1.46)
Inventar:
5000 kom. Nova originalna na skladištu
12840362
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
EFC6605R-V-TR Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel
FET karakteristika
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Odvod do izvornog napona (VDS)
20V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Ta)
Srs Na (maks) @ id, vgs
13.3mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.3V @ 1mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
19.8nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
-
Snaga - Maks
1.6W (Ta)
Radna temperatura
150°C
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
6-SMD, No Lead
Dobavljač uređaja Paket
6-EFCP (1.9x1.46)
Osnovni broj proizvoda
EFC6605
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
2156-EFC6605R-V-TR-OS
488-EFC6605R-V-TRCT
ONSONSEFC6605R-V-TR
EFC6605R-V-TR-DG
488-EFC6605R-V-TR
488-EFC6605R-V-TRDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
EMH2412-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 6A 8EMH
QJD1210011
SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
