Proizvođač Broj proizvoda:
FCB110N65F
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FCB110N65F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
4800 kom. Nova originalna na skladištu
12838140
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FCB110N65F Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
FRFET®, SuperFET® II
Status proizvoda
Not For New Designs
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
650 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
35A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 3.5mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4895 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
357W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
FCB110
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Ostala imena
FCB110N65FCT
FCB110N65FTR
FCB110N65FDKR
2156-FCB110N65F-OS
ONSONSFCB110N65F
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
STB37N60DM2AG
Proizvođač
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
0
DiGi BROJ DELOVA
STB37N60DM2AG-DG
JEDINIČNA CENA
3.16
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDP7N60NZ
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220-3
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
FQPF6N40CF
MOSFET N-CH 400V 6A TO220F
