Proizvođač Broj proizvoda:
FCI25N60N-F102
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FCI25N60N-F102-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventar:
12839001
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FCI25N60N-F102 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
SupreMOS™
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
600 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
25A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
3352 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
216W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-262 (I2PAK)
Paket / slučaj
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovni broj proizvoda
FCI25N60
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
FCI25N60N_F102-DG
FCI25N60N_F102
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
IPI60R099CPXKSA1
Proizvođač
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
500
DiGi BROJ DELOVA
IPI60R099CPXKSA1-DG
JEDINIČNA CENA
3.99
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDC8884
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
FDP150N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
HUF76629D3ST
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
