Proizvođač Broj proizvoda:

FDC3601N

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDC3601N-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6

Detaljan opis:

Mosfet Array 100V 1A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

Inventar:

RFQ Online

12845996

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

FDC3601N Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Status proizvoda

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracija

2 N-Channel (Dual)

FET karakteristika

-

Odvod do izvornog napona (VDS)

100V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

1A

Srs Na (maks) @ id, vgs

500mOhm @ 1A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

5nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

153pF @ 50V

Snaga - Maks

700mW

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Paket / slučaj

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Dobavljač uređaja Paket

SuperSOT™-6

Osnovni broj proizvoda

FDC3601

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

FDC3601N-DG

FDC3601NTR

2832-FDC3601N

FDC3601NDKR

FDC3601NCT

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Alternativni modeli

BROJ DELOVA

FDC8602

Proizvođač

onsemi

KOLIČINA DOSTUPNA

16909

DiGi BROJ DELOVA

FDC8602-DG

JEDINIČNA CENA

0.52

TIP ZAMENE

Direct

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

alpha-and-omega-semiconductor

AON2800

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A 6DFN

onsemi

NTHD4102PT3G

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET

alpha-and-omega-semiconductor

AO4924

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO4801L

MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC