FDD86102LZ
Proizvođač Broj proizvoda:

FDD86102LZ

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDD86102LZ-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 8A (Ta), 35A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

20852 kom. Nova originalna na skladištu
12838862
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FDD86102LZ Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
8A (Ta), 35A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
22.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1540 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-252AA
Paket / slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
FDD86102

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
2,500
Ostala imena
FDD86102LZ-DG
ONSONSFDD86102LZ
2156-FDD86102LZ-OS
FDD86102LZFSDKR
FDD86102LZFSCT
FDD86102LZFSTR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
infineon-technologies

94-2989

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

onsemi

FQPF5N90

MOSFET N-CH 900V 3A TO220F

onsemi

FCPF190N65S3R0L

MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3

onsemi

FQD4N50TF

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK