FDG311N
Proizvođač Broj proizvoda:

FDG311N

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDG311N-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Detaljan opis:
N-Channel 20 V 1.9A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Inventar:

RFQ Online
12839577
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FDG311N Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
20 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
1.9A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Srs Na (maks) @ id, vgs
115mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Maks)
±8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
270 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
750mW (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SC-88 (SC-70-6)
Paket / slučaj
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Osnovni broj proizvoda
FDG311

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
FDG311N
Tehnički listovi
FDG311N
HTML Tehnička dokumentacija
FDG311N-DG

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000
Ostala imena
FDG311NTR
FDG311NCT
FDG311N-DG
2832-FDG311NTR
2166-FDG311N-488
FDG311NDKR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
onsemi

NDF11N50ZG

MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP

onsemi

FDBL86066-F085

MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF

onsemi

IRLR210ATM

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

onsemi

FDD3672-F085

MOSFET N-CH 100V 44A TO252AA