FDMD8560L

Proizvođač Broj proizvoda:

FDMD8560L

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDMD8560L-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 60V 22A 8PWR 5X6

Detaljan opis:

Mosfet Array 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6

Inventar:

2932 kom. Nova originalna na skladištu

12850019

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

FDMD8560L Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Cut Tape (CT)

Serije

PowerTrench®

Status proizvoda

Obsolete

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracija

2 N-Channel (Half Bridge)

FET karakteristika

-

Odvod do izvornog napona (VDS)

60V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

22A, 93A

Srs Na (maks) @ id, vgs

3.2mOhm @ 22A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

128nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

11130pF @ 30V

Snaga - Maks

2.2W

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Paket / slučaj

8-PowerWDFN

Dobavljač uređaja Paket

8-Power 5x6

Osnovni broj proizvoda

FDMD8560

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

FDMD8560LTR

2156-FDMD8560L-488

2832-FDMD8560L

FDMD8560LDKR

FDMD8560LCT

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

alpha-and-omega-semiconductor

AO4892

MOSFET 2N-CH 100V 4A 8SOIC

onsemi

FD6M045N06

MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15

onsemi

FDS6990AS

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC

onsemi

FDMS8090

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8MLP PWR56