FDMS3660S

Proizvođač Broj proizvoda:

FDMS3660S

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDMS3660S-DG

Opis:

MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56

Detaljan opis:

Mosfet Array 30V 30A, 60A 1W Surface Mount Power56

Inventar:

5493 kom. Nova originalna na skladištu

12849701

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

FDMS3660S Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Status proizvoda

Active

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Konfiguracija

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET karakteristika

Logic Level Gate

Odvod do izvornog napona (VDS)

30V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

30A, 60A

Srs Na (maks) @ id, vgs

8mOhm @ 13A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.7V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

29nC @ 10V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

1765pF @ 15V

Snaga - Maks

1W

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Paket / slučaj

8-PowerTDFN

Dobavljač uređaja Paket

Power56

Osnovni broj proizvoda

FDMS3660

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

FDMS3660SFSTR

FDMS3660SFSCT

FDMS3660SFSDKR

2832-FDMS3660STR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

onsemi

FDW2508P

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP

alpha-and-omega-semiconductor

AO4822AL_102

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

onsemi

FDS6890A

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AO6801E

MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP