FDN5618P

Proizvođač Broj proizvoda:

FDN5618P

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDN5618P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

Detaljan opis:

P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventar:

31131 kom. Nova originalna na skladištu

12846740

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

FDN5618P Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Status proizvoda

Active

FET Tip

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

60 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

1.25A (Ta)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

4.5V, 10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

170mOhm @ 1.25A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

13.8 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

430 pF @ 30 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

500mW (Ta)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Dobavljač uređaja Paket

SOT-23-3

Paket / slučaj

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Osnovni broj proizvoda

FDN5618

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

FDN5618PCT

2832-FDN5618PTR

FDN5618PDKR

FDN5618PTR

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

onsemi

FDMS86255

MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56

infineon-technologies

IPA80R600P7XKSA1

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

onsemi

FQD8P10TM_SB82052

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

onsemi

FDMC86183

MOSFET N-CH 100V 47A 8PQFN