Proizvođač Broj proizvoda:
FDP100N10
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDP100N10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
690 kom. Nova originalna na skladištu
12837206
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDP100N10 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tube
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
75A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
10mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
7300 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
208W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220-3
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
FDP100
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
FAIFSCFDP100N10
2156-FDP100N10-OS
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDS3680
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8SOIC
FDP10AN06A0
MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3
ATP304-TL-H
MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
