FDS2582
Proizvođač Broj proizvoda:

FDS2582

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDS2582-DG

Opis:

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Detaljan opis:
N-Channel 150 V 4.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

2551 kom. Nova originalna na skladištu
12847751
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FDS2582 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
150 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
4.1A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
66mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1290 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
FDS25

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket
2,500
Ostala imena
FDS2582DKR
FDS2582CT
FDS2582TR
FDS2582-DG

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
onsemi

FCD4N60TM_WS

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK

onsemi

NTD4906NT4G

MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK

onsemi

NVMFS6B14NLWFT3G

MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN

onsemi

NTD4855NT4G

MOSFET N-CH 25V 14A/98A DPAK