Proizvođač Broj proizvoda:
FDS4935BZ
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDS4935BZ-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
Detaljan opis:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
10800 kom. Nova originalna na skladištu
12837596
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDS4935BZ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 P-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
30V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
6.9A
Srs Na (maks) @ id, vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
40nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1360pF @ 15V
Snaga - Maks
900mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Osnovni broj proizvoda
FDS49
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
FDS4935BZDKR
2832-FDS4935BZTR
2156-FDS4935BZ-OS
FDS4935BZCT
FAIFSCFDS4935BZ
FDS4935BZTR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDW2507NZ
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
FDS89161
MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
FDC6301N_G
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
