FDS5670

Proizvođač Broj proizvoda:

FDS5670

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

Broj dela:

FDS5670-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC

Detaljan opis:

N-Channel 60 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventar:

21413 kom. Nova originalna na skladištu

12846241

Zatraži ponudu

Količina
Minimum 1

ga8G

(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

FDS5670 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Status proizvoda

Active

FET Tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod do izvornog napona (VDS)

60 V

Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C

10A (Ta)

Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)

6V, 10V

Srs Na (maks) @ id, vgs

14mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (Maks)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS

2900 pF @ 15 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks)

2.5W (Ta)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Dobavljač uređaja Paket

8-SOIC

Paket / slučaj

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Osnovni broj proizvoda

FDS56

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci

Tehnički listovi

FDS5670 Datasheet

HTML Tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

2,500

Ostala imena

FDS5670TR

2156-FDS5670-OS

ONSFSCFDS5670

FDS5670DKR

FDS5670CT

Ekoloska i izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikacija

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

AON6916

MOSFET N-CH

onsemi

FQU10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AO3407L

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3

onsemi

FQD17N08LTM

MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252