Proizvođač Broj proizvoda:
FDS6911
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDS6911-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
Detaljan opis:
Mosfet Array 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12848168
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDS6911 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 N-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
20V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
7.5A
Srs Na (maks) @ id, vgs
13mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
24nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1130pF @ 15V
Snaga - Maks
900mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Osnovni broj proizvoda
FDS69
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
FDS6911DKR
FDS6911CT
FDS6911TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
HUFA76407DK8T-F085
MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC
NTJD4401NT2G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
FDMD84100
MOSFET 2N-CH 100V 7A POWER 3.3X5
