Proizvođač Broj proizvoda:
FDS8333C
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDS8333C-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A 8SOIC
Detaljan opis:
Mosfet Array 30V 4.1A, 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12847296
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDS8333C Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
N and P-Channel
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
30V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
4.1A, 3.4A
Srs Na (maks) @ id, vgs
80mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
282pF @ 10V
Snaga - Maks
900mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Osnovni broj proizvoda
FDS83
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FDC6420C
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT6
FDPC5030SG
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRCLIP56
EFC2J022NUZTCG
MOSFET N-CH 12V 2.2MOHM WLCSP10
