Proizvođač Broj proizvoda:
FDS8870
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDS8870-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
2621 kom. Nova originalna na skladištu
12848076
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDS8870 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
30 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
18A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4.2mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
4615 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.5W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovni broj proizvoda
FDS88
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
FDS8870FSTR
FDS8870FSCT
FAIFSCFDS8870
FDS8870-DG
2156-FDS8870-OS
FDS8870FSDKR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FQP11N50CF
MOSFET N-CH 500V 11A TO220-3
BSO080P03SNTMA1
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO
FDB52N20TM
MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
