Proizvođač Broj proizvoda:
FDS9958
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDS9958-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
Detaljan opis:
Mosfet Array 60V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12849778
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDS9958 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracija
2 P-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod do izvornog napona (VDS)
60V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
2.9A
Srs Na (maks) @ id, vgs
105mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
23nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1020pF @ 30V
Snaga - Maks
900mW
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dobavljač uređaja Paket
8-SOIC
Osnovni broj proizvoda
FDS99
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
FDS9958CT
FDS9958DKR
2832-FDS9958
FDS9958TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
AO6601_001
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
HUFA76404DK8T
MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8SOIC
