Proizvođač Broj proizvoda:
FQA10N80C-F109
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQA10N80C-F109-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 10A TO3P
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12838452
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQA10N80C-F109 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
800 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.1Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2800 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
240W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3P
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovni broj proizvoda
FQA10
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
ONSONSFQA10N80C-F109
FQA10N80C_F109FS-DG
FQA10N80C_F109
FQA10N80C_F109-DG
FQA10N80CF109
2156-FQA10N80C-F109-OS
FQA10N80C_F109FS
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
BSC0996NSATMA1
MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5
HUFA76419D3
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
FDMS86580-F085
MOSFET N-CH 60V 50A POWER56